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浅谈DDR ATE 测试

时间:2025-06-25 22:01来源:FreyaW 半导体ATE测试 作者:ictest8_edit 点击:

"随着DDR5内存速率突破6400Mbps,高速信号完整性已成为芯片测试领域的'阿喀琉斯之踵'。如何通过ATE设备精准捕捉DDR接口的隐性缺陷?本文将解密DDR测试的核心方法论,从关键引脚功能到三大环回测试体系,带您穿透测试数据的表象,直击内存接口验证的本质。"

当ATE测试机台遭遇DDR4/5的Fly-by拓扑结构时,传统的测试方案为何频频失效?答案藏在这四个维度里:引脚功能矩阵、四阶测试方法论、BallMap玄机以及环回设计的仿真边界。本文我们将从这四个方面对DDR ATE 测试进行探讨~DDR(Double Data Rate SDRAM) 作为一种高速动态随机存储器,广泛应用于现代SOC 内部,了解DDR 的工作原理,有助于我们在ATE 调试时更有的放矢,List DDR 的主要工作特点如下:

· 双倍数据速率:在时钟上升沿和下降沿均传输数据,提升带宽。· 
· 多代演进:DDR2 → DDR3 → DDR4 → DDR5(速度、功耗、容量优化)。
· 关键应用:服务器、PC、移动设备、AI加速等高性能计算IC。

一. DDR 关键PIN脚类别及主要功能
 
信号类型 功能说明 PIN脚Name
电源信号 核心供电电源VDD/VSS                     I/O 电源VDDQ/VSSQ VDD/VSS                  VDDQ/VSSQ                
数据信号 (DQ) 传输实际数据,可按字节分组 DQ0-DQ63
  数据选通 (DQS) 双向选通,同步数据采样(差分信号) DQS_t/DQS_c
  地址/命令 地址线                                             控制行/列地址                                 操作命令 A0-A15,                  RAS/CAS                   WE
  时钟 (CK) 提供同步时序基准(差分时钟) CK_t/CK_c
  控制信号 片选                                                 时钟使能 (低功耗模式)                    终端电阻控制(注意与传输线阻抗匹配) CS                            CKE                                ODT
其它信号 数据掩码(需与DQ同步)                    错误报警 DM                            ALERT                           

二. DDR ATE 测试项目及测试原理解析1.DDR Bscan 测试

测试原理:
利用JTAG TAP 控制DDR内存颗粒进行扫描链测试,通过移位寄存器逐位控制DDR I/O PIN脚状态,TDO shift DDR 内存端响应状态,进而检查DDR I/O PIN 脚之间是否有意外短路。

关键PIN 脚功能
信号类别 PIN 脚示例 Bscan 测试作用
数据线(DQ) DQ0-DQ63 检测数据线开路,短路,对地/电源短路
数据选通(DQS) DQS_t/DQS_c(差分对) 验证差分信号完整性及阻抗匹配
地址线(Addr) A0-A15 确保地线无断路,避免寻址错误
控制信号 CR,RAS,CAS,WE,CKE 检查命令信号是否正常传输至内存颗粒
时钟信号 CK_t/CK_c(差分时钟) 验证时钟线是否连通,无对地短路
电源/地 VDD,VSS,VDDQ,VSSQ 间接检测(如电源短路会导致扫描异常)

 故障现象:Bscan_DDR pattern Fail

Debug思路
Step1. 根据OS & PS测试项中JTAG,DDR 相关PIN脚测试结果确认PAD连通性
Step2. Relex Bscan Period,排除频率对Bscan 测试结果的影响
Step3. 更改level 中JTAG 相关PIN脚 为term 方式,改变ioh/iol 电流大小
Step4. 使用示波器检查JTAG_TCK 时钟信号是否正常
Step5. 抓取Failcycle 协同研发一起定位具体失效PIN脚
Step6. 检查PCB 布局(如差分对长度匹配,参考平面完整性)

2. DDR Internal LoopBack 测试(小环)

测试原理
通过配置DDR芯片内部寄存器,使其发送端(Tx)的数据直接环回到接收端(Rx),不经过外部PCB路径。

测试目标:验证DDR芯片内部逻辑(如PHY层、数据通道)是否正常,排除PCB走线干扰
适用场景:芯片出厂测试(CP测试)或封装后验证。     

关键PIN脚功能

PIN 脚 作用
DQ/DQS 内部环回数据与选通信号通路
CK_t/CK_s 提供DDR运行时钟基准,确保环回同步
Mode Register 通过MR寄存器,配置环回模式

故障现象:环回数据错误或无响应。 

Debug思路
Step1. 检查寄存器配置是否正确,如检查Mode Register是否正确使能环回模式(如DDR4 的MR4寄存器),
Step2. 确认时钟频率与环回模式是否兼容
Step3. 确认测试模式信号(如TMODE)是否被正确触发
Step4. 检查电源噪声(VDDQ)是否影响内部信号完整性
Step5. 收集ATE FailCycle协同研发确认Fail DDR Part

3. DDR PCB 级LoopBack 测试(external LoopBack-中环)

测试原理

在LoadBoard或SLT board上设计环回路径,将DDR 控制器的Tx信号通过PCB走线环回到Rx端,已验证PCB走线,插座,负载版的信号完整性(SI)及阻抗匹配。

关键PIN脚功能

PIN脚 作用
DQ/DQS 环回数据与选通信号的关键通路
ADDR/CMD 可选环回测试(验证地线连通性)
ODT 控制终端电阻,匹配环回路径阻抗

故障现象环回数据误码率较高,或信号失真

Debug思路

Step1. 测量环回路径阻抗(目标:50Ω±10%)
Step2. 检查LB/SLT board 差分对匹配长度(DQS_t/DQS_c长度差<5mil)
Step3. 使用万用表检查插座引脚导通性
Step4. 重复插拔测试,观察结果是否波动
Step5. 检查负载版PI 仿真结果,必要时利用示波器测量VDDQ 纹波

4. DDR ATE TRx 环回测试(external LoopBack-大环)

测试原理:
DUT DDR模块发送数据(Tx)至ATE设备接收到数据并解码后,重新编码并将信号返回给DUT (Rx)。以实现DDR与外部设备的全双工通信能力。

关键PIN脚功能
PIN 脚 功能
DQ/DQS 数据收发核心通道
CK_t/CK_c 同步ATE与DDR时钟
CS/CKE 控制通信启停与低功耗模式


 故障现象:ATE 接收失败或DDR无法解析返回数据

 Debug思路:
Step1. 检查ATE与DDR 时钟相位是否对齐(需满足tDQSS 时序)
Step2. 调整ATE 的时钟延时补偿
Step3. 确认ATE 生成的返回数据是否符合DDR协议(如BL突发长度等)
Step4. 用示波器捕获ATE与DDR接口的眼图,检查过冲/振铃
Step5. 优化LoadBoard/ SLT board设计(如添加端接电阻)

三. DDR PAD ballMap 排列方式

DDR芯片的Ball Map(球栅阵列布局) 直接影响信号完整性(SI)和电源完整性(PI),需遵循以下原则:

· 信号分组
o 数据组(DQ/DQS/DM)按字节(8bit+1DQS)分组布局,减少串扰。
o 地址/命令信号集中放置,避免与数据线交叉。

· 电源/地分布
o 每4-8个信号Ball配1对VDD/VSS,降低回流路径阻抗。
o 高频信号(如CK_t/CK_c)周围增加地Ball屏蔽噪声。

· 对称性
o 差分对(DQS_t/DQS_c、CK_t/CK_c)长度匹配(±5mil)。

典型 Ball Map 排列示例(以 DDR4 x8 为例)


区域 Ball 功能 布局要求
数据组0 DQ0-DQ7,DQS0_t/c,DM0 相邻排列,远离其他数据组
地址/命令 A0-A15,CS,RAS/CAS/WE 集中布局,靠近控制器
时钟 CK_t/CK_c 独立区域,周围铺地
电源/地 VDD/VSS, VDDQ/VSSQ 均匀分布,避免形成电流环路

四. DDR 三种环回方式PCB硬件设计仿真需求

芯片内环回(Internal LoopBack)

· 无需额外PCB设计,但需确保测试模式信号(如TMODE)走线阻抗匹配。
· 验证芯片内部数据通路和逻辑功能。
· 排除PCB干扰,定位硅片缺陷。

测试原理

DDR芯片内部PHY层将发送端(Tx)数据直接环回至接收端(Rx),不经过PCB。

用途

o 验证芯片内部数据通路和逻辑功能。
o 排除PCB干扰,定位硅片缺陷。

PCB仿真需求

无需额外PCB设计,但需确保测试模式信号(如TMODE)走线阻抗匹配。

PCB级环回(Load Board Loopback)


· 验证PCB走线、连接器、阻抗匹配质量。
· 测试高速信号完整性(SI)。

测试原理
在测试载板(Load Board)上设计环回路径,将DDR控制器的信号通过PCB走线返回。
 
用途

o 验证PCB走线、连接器、阻抗匹配质量。
o 测试高速信号完整性(SI)

· PCB仿真需求
· 
仿真项 要求 工具示例
阻抗控制 DQ/DQS单端50Ω,差分100Ω ±10% HyperLynx, SIwave
串扰分析 确保数据组间串扰 <5% Ansys HFSS
长度匹配 同组DQ/DQS长度差 <15mil Cadence Sigrity
端接优化 使用ODT或外部端接电阻(如40Ω-60Ω) ADS Momentum

ATE环回(ATE Loopback)


· 测试原理

DDR发送数据 → ATE接收并分析 → ATE返回数据 → DDR接收验证。
 测试全链路(DDR+PCB+ATE)的协议兼容性。

· 用途

系统级通信验证,如内存控制器兼容性测试。

· PCB仿真需求

o 高速通道设计:确保ATE接口与DDR信号速率匹配(如DDR4-3200需支持1.6GHz时钟)
o 时序校准:仿真ATE与DDR间的时钟偏移(Skew)并补偿(如±50ps)

关键仿真与设计checklist


(1).信号完整性(SI)

(2)电源完整性(PI)

(3)热仿真


o 高功耗Ball(如VDDQ)需散热优化(Thermal Via)。
o 电源层低阻抗设计(多via并联)。
o 去耦电容(Decap)按频段分布(0.1μF+1μF+10μF)。
o 差分对(DQS/CK)长度匹配 ±5mil。
o 数据组内DQ走线等长(±15mil)。
o 避免跨分割(参考平面完整)。

DDR测试从来不只是通过/失败的二元判断,而是一场与信号完整性、时序容限和电源噪声的立体博弈。从Bscan的微观诊断到环回测试的宏观验证,我们构建的不仅是测试覆盖率,更是芯片可靠性的数字免疫系统。当GDDR6X的PAM4信号遇上3D堆叠封装,下一代DDR测试将面临更严峻的时延差挑战。本文揭示的基础方法论将成为应对未来变革的'测试原语言',而关于片上时序自校正(ODT)等新技术的测试实践,我们将在后续系列文章中继续探讨...

 
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